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提高半导体金属布线过程中铝铜互连的方法

提高半导体金属布线过程中铝铜互连的方法

提高半导体金属布线过程中铝铜互连的方法 X技术网

专利名称：：提高半导体金属布线过程中铝铜互连的方法技术领域：：本发明涉及一种制造半导体器件的方法，更具体地，涉及一种可以^是高铝 (Al)铜 (Cu)互连的方法，其可在那些相同的应用中，希望连接器完全匹配。例如，在将电信号传彩'J诸如气嚢配具有防护挡板的连杆的电连

更懂芯片金属化互连工艺电子工程专辑 EE Times China

2024年2月28日首先，由于Ru薄膜沉积在整个晶圆上，晶粒大小不受大马士革孔宽度的限制，这可以显著抑制由于晶界散射造成的电阻增大；第二，金属层厚度是通过Ru沉积工 2023年12月21日也就是说，如果想实现较深的金属布线（即元器件层与金属布线层的距离较远时），就需要用钨（W）等沟槽填充能力优秀的配线材料进行沉积，提前把沟槽填半导体前端工艺｜第六篇（完结篇）：金属布线——为半导体

半导体工艺(六)连接电路的金属布线工艺三星半导体官网

2022年2月14日铝是具有代表性的半导体用金属配线材料,是因为它可加工性强,与氧化膜(二氧化硅, Silicon Dixide)的粘附性好。但是,当铝(Ai)与硅(Si)相遇时,会相互混合。因此,对首先对芯片金属互连技术的历史和发展进行了综述，分别介绍了铝互连、铜互连的优点、存在的缺陷与改进方法，并对新一代钴互连技术进行了介绍，同时对潜在的互连材料，如钌芯片制程中金属互连工艺及其相关理论研究进展Research

从原子角度研究铜在增强 AlCu 互连电迁移电阻中的作用,Acta

1999年9月1日摘要基于原子计算解释了为什么与铝相比，铜能延长铝铜互连的电迁移寿命。铜优先偏析到晶界 (GB) 间隙位点。 GB 位点的 Cu 偏析降低了整体 GB 扩散率。2019年12月16日由于与铝互连相比，铜互连具有更高的电阻率和可靠性[1]，因此在微电子行业中得到了广泛的认可。最初，SiO2 被用作层间电介质（图 1）。然而，为了降低铜互连与低k电介质集成的工艺挑战,ECS Transactions XMOL

铜互连新型阻挡层材料的研究进展

2024年1月2日文章综述了铜互连阻挡层材料的最新进展,包括铂族金属基材料、自组装单分子层、二维材料和高熵合金,以期对金属互连技术的发展提供帮助。关键词: 铜互连;2006年9月28日铝互连线的电迁移问题历来是微电子产业的研究热点，其面临的电迁移可靠性挑战也是芯片制造业最持久和最重要的挑战之一*从"% 世纪(% 年代开始，超深亚微铝互连线的电迁移问题及超深亚微米技术下的挑战

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2024年2月28日芯片的电子信号的传递需要金属的参与，因此金属化是芯片制程中必不可少的步骤之一。在芯片制程中，互连代表了金属化中的连接方式。金属化金属化（Metallization）：指在晶圆上形成图形化的金属导电薄膜。 (1)金属化的作用 1、互连作用主要用于互连随着芯片制程中互连线尺寸的不断减小，集成电路技术已经从以晶体管为中心的时代发展到以互连为中心的时代。传统的互连金属——铝、铜，在互连线性能和可靠性方面渐渐无法满足人们的需求。钴在微纳尺度下因具有更好的电性能，有可能取代铜而成为新的互连线金属，现已受到广泛关注。芯片制程中金属互连工艺及其相关理论研究进展Research

知乎专栏随心写作，自由表达知乎

2011年12月9日提高半导体金属布线过程中铝铜互连的方法 26、提高半导体金属布线过程中铝铜互连的方法27、属复合线坯包覆焊接生产用铜带自动除油装置28、属复合线坯包覆焊接生产线用铜带库29、镀锡铜包钢。 336一种高强度铜包提高半导体金属布线过程中铝铜互连的方法

半导体前端工艺｜第六篇（完结篇）：金属布线——为半导体

2023年12月21日 01 半导体的核心——“连接” 在前几篇文章中，我们详细讲解了氧化、光刻、刻蚀、沉积等工艺。经过上述工艺，晶圆表面会形成各种半导体元件。 SK海力士等半导体制造商会让晶圆表面布满晶体管和电容（Capacitor） 1 ；而代工厂或CPU制造商则会让 2019年12月16日通过增加孔隙率，可以将 SiCOH 的介电常数进一步降低至 24 或更低（图 1）。然而，弹性模量进一步降低，使加工更具挑战性。 Cu 互连与多孔低 k 电介质的集成存在许多挑战，包括图案化、衬垫覆盖、化学机械抛光 (CMP) 和封装。图案化低 k 电介质最铜互连与低k电介质集成的工艺挑战,ECS Transactions XMOL

一种碳化钨钴铜二硫化钼自润滑耐磨涂层及其制备方法 X

2011年9月21日本发明的目的在于提供一种碳化钨钴铜二硫化钼自润滑耐磨涂层及其制备方法。本发明的制备方法包括下述步骤 (1)将市售碳化钨钴 (WCC0)粉、铜粉和二硫化钼粉在无水乙醇介质中进行球磨混合，控制球磨转速为100 150r/min，混合时间为M 48小时。所述碳化钨钴粉 1999年9月1日摘要基于原子计算解释了为什么与铝相比，铜能延长铝铜互连的电迁移寿命。铜优先偏析到晶界 (GB) 间隙位点。GB 位点的 Cu 偏析降低了整体 GB 扩散率。计算结果预测，在 Al(Cu) 线中，Cu 将首先扩散，由于较高的扩散活化能，Al 扩散基本上受到抑制。从原子角度研究铜在增强 AlCu 互连电迁移电阻中的作用,Acta

半导体金属互连集成技术的进展与趋势豆丁网

2015年10月6日专题综述半导体金属互连集成技术的进展与趋势福州大学材料研究所，福建福州；2美国密苏里罗拉大学材料研究中心，罗拉65409）摘要：集成电路（IC）技术的快速发展对金属互连技术提出了更高的要求。传统的金属互连技术已经不能满足现代互连技术发展的需要，大马士革结构的Cu金属互连 2022年2月14日电路正常运行需要来自外部的电脉冲,为了保证顺利传输信号,根据半导体电路图连接电路 (金属线)的过程,称为金属布线工艺。满足以上条件且具有代表性的金属有铝 (Al)、 (Ti)、钨 (W)等等。那么,金属布线工艺是如何完成的呢? 铝是具有代表性的半导体用半导体工艺(六)连接电路的金属布线工艺三星半导体官网

半导体加工铜互连的方法 X技术网

2010年6月16日本发明涉及一种半导体加工技术，尤其涉及一种。背景技术随着CMOS晶体管尺寸不断縮小到次微米级，在高效率、高密度集成电路中的晶体管数量上升到几千万个。这些数量庞大的有源元件的信号集成需要高密度金属连线，然而这些金属互连线带来的电阻和寄生电容已经成为限制这种高效集成电路知乎专栏

半导体加工铜互连的方法 X技术网

2010年6月16日本发明涉及一种半导体加工技术，尤其涉及一种。背景技术随着CMOS晶体管尺寸不断縮小到次微米级，在高效率、高密度集成电路中的晶体管数量上升到几千万个。这些数量庞大的有源元件的信号集成需要高密度金属连线，然而这些金属互连线带来的电阻和寄生电容已经成为限制这种高效集成电路 2017年8月31日申请文件的诸方面一般地涉及半导体封装。背景技术常规地，为了将半导体封装键合到主板或者其他印刷电路板，使用丝线键。耦合到所形成的键合焊盘的丝线键位于封装件的管芯上。存在各种常规的丝线键合技术，包括球键合、楔键合和相容键合。发明内容半导体封装的实现方式可以包括：包括焊半导体铜金属化结构的制作方法3 X技术网

改善超厚金属互连工艺晶圆平整度的方法与流程 X技术网

2020年5月8日本发明涉及微电子及半导体集成电路制造领域，具体属于一种改善超厚金属互连工艺晶圆平整度的方法。背景技术随着芯片集成度的不断提高，铜已经取代铝成为超大规模集成电路制造中的主流互连技术。作为铝的替代物，铜导线可以降低互连阻抗，降低功耗和成本，提高芯片的集成度、器件密度和 2023年7月12日摘要：综述了集成电路互连引线的发展历史以及研究进展，从最初的铝互连引线到现在主流的铜互连引线，再到下一代碳纳米管互连引线。首先，介绍了铝作为互连引线材料的优点与其所存在的缺陷及改进方法，例如电迁移现象等问题的形成原因以及相应的集成电路互连引线的发展与前景：铝到铜、碳纳米管的技术

陆芯划片机：晶圆加工第六篇—半导体互连工艺主要使用铝和铜

2022年7月15日 2、铜互连工艺随着半导体工艺精密度的提升以及器件尺寸的缩小，铝电路的连接速度和电气特性逐渐无法满足要求，为此我们需要寻找满足尺寸和成本两方面要求的新导体。铜之所以能取代铝的个原因就是其电阻更低，因此能实现更快的器件连接速度。2010年9月10日目前集成电路业界已经采用铜互联技术来代替铝互连技术，由于铜比铝有更好的导电率，电阻较低，单纯采用铜来代替铝作为互联材料可以降低RC 大约40%。 LowK电介质解决寄生电容寄生电容而寄生电容则是在集成电路内部，由于ILD (Inter Layer Dielectrics，层间电铜互连技术与lowk电介质CPUCPU新闻中关村在线

ULSI互连布线国内外发展现状及未来趋势论文百度文库

因此，Cu电镀技术是国际上UISI中Cu沉积技术的主流。铜互连在改善器件延迟、提高金属布线的抗电迁移特性等方面的优越性已被越来越多的人们所认识。对于相同的器件，铜布线相对于传统的铝布线可以减小延迟30%左右，抗电迁移能力提高10倍左右。2019年6月28日简介金属薄膜在半导体技术中最普通的用途就是表面连线。把各个元件连接到一起的材料、工艺、连线过程一般称为金属化工艺（metallization process）。根据器件的复杂度和性能要求，电路可能要求单层金属或多层金属系统。可能使用铝合金或金作为导半导体系列（七十）——金属化（一）工艺

芯片为什么用铜作为互联金属？铝为什么会被替代呢？电子

2023年10月12日然而，随着半导体技术的进步和线宽尺寸的不断缩小，导致铜成为了替代选择。那么铝为什么会被替代呢？芯片互连金属的历史早期的集成电路使用了金作为互连材料，尤其是在1950年代到1960年代初。金因其优越的导电性、化学稳定性和与许多半导金属互连工艺在集成电路片上淀积金属薄膜，并通过光刻技术形成布线，把互相隔离的元件按一定要求互连成所需电路的工艺。对用于集成电路互连的金属材料的要求是：电阻率低，能与元件的电极形成良好的低欧姆接触；与二氧化硅层的粘附性要好金属互连工艺百度百科

知乎专栏随心写作，自由表达知乎

半导体第十三讲金属化与平坦化裂、空洞以及应力等造成的材料失效。 15 f（2）互连金属最早用于集成电路制造的金属就是铝，它也是最普遍的互连金属，以薄膜的形式在wafer中连接不同的器件。室温下，铝的电阻率比铜、金、银的电阻率稍高，但是半导体第十三讲金属化与平坦化百度文库

金属布线——为半导体注入生命的连接百家号

2023年4月20日金属布线——为半导体注入生命的连接经过氧化、光刻、刻蚀、沉积等工艺，晶圆表面会形成各种半导体元件。半导体制造商会让晶圆表面布满晶体管和电容（Capacitor）；而代工厂或CPU制造商则会让晶圆底部排列鳍式场效电晶体（FinFET）等三维晶体管。图1 2022年5月30日芯片是由一系列有源和无源电路元件堆叠而成的3D结构，薄膜沉积是芯片前道制造的核心工艺之一。从芯片截取横截面来看，芯片是由一层层纳米级元件堆叠而成，所有有源电路元件（例如晶体管、存储单元等）集中在芯片底部，另外的部分由上层的铝/铜互芯片制造的核心工艺：一文看懂薄膜沉积电子头条

半导体第十五讲互连豆丁网

2014年11月22日三层夹心结构在两层铝膜之间增加一个约50nm的过渡金属层（如Ti）可以改善铝的电迁移。这种方法可以使MTF值提高23个量级，但工艺比较复杂。采用新的互连金属材料金属铜的电阻率小于20μΩcm，使用金属铜取代传统的金属铝，可以极大地降低互连线的2004年12月8日 1一种降低半导体组件中二硅化钴层的电阻值的制造方法，包括步骤如下提供一硅衬底；形成一金属钴层于该硅衬底上；藉由一次退火处理，形成一硅化钴 (CoSi)层于该硅衬底与该金属钴层的交界处，其中，一未反应的金属钴层残留于该硅化钴层上方；以选降低半导体组件中二硅化钴层的电阻值的方法 X技术网

ULSI互连布线国内外发展现状及未来趋势论文豆丁网

2016年3月10日铜互连在改善器件延迟、提高金属布线的抗电迁移特性等方面的优越性已被越来越多的人们所认识。对于相同的器件，铜布线相对于传统的铝布线可以减小延迟30%左右，抗电迁移能力提高10倍左右。特别是器件特征尺寸越小，铜互连相对于铝互连的优越性越2004年12月8日 1一种降低半导体组件中二硅化钴层的电阻值的制造方法，包括步骤如下提供一硅衬底；形成一金属钴层于该硅衬底上；藉由一次退火处理，形成一硅化钴 (CoSi)层于该硅衬底与该金属钴层的交界处，其中，一未反应的金属钴层残留于该硅化钴层上方；以选降低半导体组件中二硅化钴层的电阻值的方法 X技术网

去除光刻胶残留及刻蚀反应物颗粒的方法 X技术网

2010年6月9日为解决上述问题，本发明提供一种去除光刻胶残留及刻蚀反应物颗粒的方法，包括在半导体衬底上依次形成待刻蚀层和图案化光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，刻蚀待刻蚀层；灰化法去除光刻胶层；将带有各膜层的半导体衬底放入溶液喷射循环池内，用溶 2021年8月10日 EDS可分为五步，具体如下： 01电气参数监控（EPM） EPM是半导体芯片测试的步。该步骤将对半导体集成电路需要用到的每个器件（包括晶体管、电容器和二极管）进行测试，确保其电气参数达标。 EPM的主要作用是提供测得的电气特性数据，这揭秘半导体制造全流程（下篇）AET电子技术应用

多层布线铝互连工艺方法、铝线互连通孔及半导体产品的

2013年6月12日专利名称：多层布线铝互连工艺方法、铝线互连通孔及半导体产品的制作方法技术领域：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种多层布线铝互连工艺方法、铝线互连通孔及半导体产品。背景技术：半导体工艺技术中，多层布线为常用技术，用于提高 2024年1月2日 1997年,IBM宣布用铜代替铝作为半导体制造的布线材料。与铝相比,铜的电阻率低, 抗电迁移性能强,熔点高,可以显著降低RC延时[3]。然而,由于铜刻蚀产物(CuCl 2,CuF2)的低挥发性,适用于铝互连的“减法”刻蚀不能适用于铜互连工艺。为此,人们发展了适铜互连新型阻挡层材料的研究进展

半导体前端工艺：第六篇（完结篇）：金属布线 —— 为半导体

2023年3月27日图4：采用铝材料进行金属布线时，金属阻挡层的作用如果以铜取代铝作为配线材料，金属阻挡层的作用就更多了。铜的反应能力比铝还强，可以与比硅更稳定的二氧化硅（SiO2）发生反应。如果铜扩散到二氧化硅里，铜粒子就会渗入到氧化膜中，造成漏电现 2022年4月25日贵金属材料在芯片领域主要有四方面应用。王琛向《中国电子报》记者表示，是互联材料。比如早期的铝到铜，到AlCu合金和钨，以及在研的最新的钴、钌等。第二是金属栅极材料。自从2007年英特尔在45nm节点引入高介电金属栅晶体管结构，钽芯片里的金属中国日报网 China Daily

铝互连线的电迁移问题及超深亚微米技术下的挑战

2006年9月28日铝互连线的电迁移问题历来是微电子产业的研究热点，其面临的电迁移可靠性挑战也是芯片制造业最持久和最重要的挑战之一*从"% 世纪(% 年代开始，超深亚微米（特征尺寸!%+!,!）铝互连技术面临了更加复杂的电迁移可靠性问题*从电迁移理论出发，分析概第十二章集成电路金属化和互连1氮化硅作为铜阻挡层的应用(1)氮化硅的性质和用途 (2)氮化硅的制备方法 (3)对铜的挑战与传统的铝互连比较，用铜作为半导体互连主要涉及三个方面的挑战，这些挑战明显不同于铝技术，在铜应用与IC互连之前必须解决：1第十二章集成电路金属化和互连1 百度文库

金属布线 —— 为半导体注入生命的连接元件阻挡层工艺

2023年4月20日可以说，金属布线是赋予半导体工艺“目的”的一个过程。图2：以金属布线（黄色部分）连接电子元器件层（红色部分）（图中省略了部分结构）本篇要讲的金属布线工艺，与前面提到的光刻、刻蚀、沉积等独立的工艺不同。在半导体制程中，光刻、刻蚀等 2024年2月28日芯片的电子信号的传递需要金属的参与，因此金属化是芯片制程中必不可少的步骤之一。在芯片制程中，互连代表了金属化中的连接方式。金属化金属化（Metallization）：指在晶圆上形成图形化的金属导电薄膜。 (1)金属化的作用 1、互连作用主要用于互连更懂芯片金属化互连工艺电子工程专辑 EE Times China

芯片制程中金属互连工艺及其相关理论研究进展Research

随着芯片制程中互连线尺寸的不断减小，集成电路技术已经从以晶体管为中心的时代发展到以互连为中心的时代。传统的互连金属——铝、铜，在互连线性能和可靠性方面渐渐无法满足人们的需求。钴在微纳尺度下因具有更好的电性能，有可能取代铜而成为新的互连线金属，现已受到广泛关注。知乎专栏随心写作，自由表达知乎

提高半导体金属布线过程中铝铜互连的方法

2011年12月9日提高半导体金属布线过程中铝铜互连的方法 26、提高半导体金属布线过程中铝铜互连的方法27、属复合线坯包覆焊接生产用铜带自动除油装置28、属复合线坯包覆焊接生产线用铜带库29、镀锡铜包钢。 336一种高强度铜包 2023年12月21日 01 半导体的核心——“连接” 在前几篇文章中，我们详细讲解了氧化、光刻、刻蚀、沉积等工艺。经过上述工艺，晶圆表面会形成各种半导体元件。 SK海力士等半导体制造商会让晶圆表面布满晶体管和电容（Capacitor） 1 ；而代工厂或CPU制造商则会让半导体前端工艺｜第六篇（完结篇）：金属布线——为半导体

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2019年12月16日通过增加孔隙率，可以将 SiCOH 的介电常数进一步降低至 24 或更低（图 1）。然而，弹性模量进一步降低，使加工更具挑战性。 Cu 互连与多孔低 k 电介质的集成存在许多挑战，包括图案化、衬垫覆盖、化学机械抛光 (CMP) 和封装。图案化低 k 电介质最 2011年9月21日专利名称：一种碳化钨钴铜二硫化钼自润滑耐磨涂层及其制备方法技术领域：本发明涉及一种碳化钨钴铜二硫化钼自润滑耐磨涂层及其制备方法。属于防护材料技术领域。背景技术：机械制造和尖端技术的发展与材料的性能所达到的最大极限息息相关，但是随着材料所承受的工作应力和工作一种碳化钨钴铜二硫化钼自润滑耐磨涂层及其制备方法 X

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1999年9月1日摘要基于原子计算解释了为什么与铝相比，铜能延长铝铜互连的电迁移寿命。铜优先偏析到晶界 (GB) 间隙位点。GB 位点的 Cu 偏析降低了整体 GB 扩散率。计算结果预测，在 Al(Cu) 线中，Cu 将首先扩散，由于较高的扩散活化能，Al 扩散基本上受到抑制。2015年10月6日专题综述半导体金属互连集成技术的进展与趋势福州大学材料研究所，福建福州；2美国密苏里罗拉大学材料研究中心，罗拉65409）摘要：集成电路（IC）技术的快速发展对金属互连技术提出了更高的要求。传统的金属互连技术已经不能满足现代互连技术发展的需要，大马士革结构的Cu金属互连半导体金属互连集成技术的进展与趋势豆丁网