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碳化硅工艺
碳化硅工艺
一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
2022年12月1日 在新能源汽车、光伏发电、轨道交通和智能电网等领域，碳化硅器件显示出明显的优势。通过本文介绍的制造工艺，读者能够更好地了解碳化硅器件的特点和制备 2024年5月31日 SiC JTE（结延伸区）是用于改善硅碳化物（SiC）功率器件电压阻断能力的结构。 SiC JTE的设计对于实现所需的击穿电压并避免因器件边缘处高电场而导致的过 一文为您揭秘碳化硅芯片的设计和制造 电子工程专辑 EE
什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
2023年6月22日 碳化硅是怎么制成的？ 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 2 天之前 碳化硅晶片生产流程 碳化硅晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成 一文看懂碳化硅晶片加工及难点 艾邦半导体网
碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
2020年6月10日 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺 碳化硅 (SiC)，又称金刚砂。 1891年美国人艾契逊 (Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。 碳化硅是用天然硅石、碳、木 2024年4月18日 浮思特｜碳化硅SiC生产工艺的全景解析 碳化硅（SiC）因卓越性能成为电力电子器件的理想材料。 其生产工艺涉及原料准备、热处理、晶体生长、切片打磨、器 浮思特｜碳化硅SiC生产工艺的全景解析 百家号
顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割技术
2 天之前 KABRA工艺本质是上将激光聚焦在碳化硅材料的内部，通过“无定形黑色重复吸收”，将碳化硅分解成无定形硅和无定形碳，并形成作为晶圆分离基点的一层，即黑色无定 2023年8月8日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。碳化硅晶圆产业链的核心：外延技术 电子工程专辑 EE
碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
该法生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制备。 以下是几种常见的固相法。 1) 机械粉碎法：将粉体颗粒状的碳化硅在外力作用下将他研磨煅烧一系列操作后得到超细粉体，该工艺及设备简单，成本也低，但效率高，缺点就是反应中易 2024年4月18日 三、Acheson工艺 Acheson工艺是一种传统的SiC生产方法。在此过程中，将混 合好的硅砂和碳素材料填充在特制的石墨坩埚中，利用电弧炉产生的高温进行反应。炉温在反应区可达2400°C，这时硅砂和碳在石墨电极的电场作用下发生反应，生成碳化硅。浮思特｜碳化硅SiC生产工艺的全景解析 百家号
碳化硅 意法半导体STMicroelectronics
SiC: 以碳化硅打造更可持续的未来。 历经多年的研发积累，意法半导体于2004年推出了款碳化硅二极管。 SiC MOSFET问世于2009年，并于2014年开始量产。 如今，意法半导体基于SiC技术的中压和高压电力产品已在业内得到了广泛应用。 意法半导体积极进行产能 2023年7月14日 因为碳化硅在生产环节存在单晶生产周期长、环境要求高、良率低等问题，碳化硅衬底的生产中的长晶环节需要在高温、真空环境中进行，对温场稳定性要求高，并且其生长速度比硅材料有数量级的差异。因此，碳化硅衬底生产工艺难度大，良率不高。碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus腾讯新闻
详解碳化硅PVT长晶工艺
2023年11月10日 详解碳化硅PVT长晶工艺 一般认为利用PVT法生长碳化硅晶体需重点关注以下几点： 1、籽晶极性及晶型种类的选择。 研究证实，决定单一4H晶型稳定生长的关键因素为籽晶极性，通常C面可用于制备4HSiC晶型，而Si面则用于制备6HSiC晶型，且与籽晶晶 2020年3月16日 Cree公司采用双注入MOSFET(double implantation MOSFET,DMOSFET) 的技术路线,结构如图4(a)所示,该公司自2010 年起发布商业化SiC MOSFET。 器件通过改进元胞尺寸以及改善SiC/SiO2( 二氧化硅)界面特性的手段,元胞尺寸从发布的代产品的10 m 降低至第三代产品的6 m,比导通电阻也从 碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE
重结晶碳化硅材料的制备与应用研究进展
2017年4月9日 重结晶碳化硅材料的制备与应用研究进展 黄 进 吴昊天 万龙刚 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司 河南洛阳 摘 要:从原料纯度及颗粒形状、成型方法、烧结温度及烧结气氛等方面阐述了重结晶碳化硅材料的制备工艺 及其特点，并与其他组成或性能 2022年5月20日 生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅 的制 备。以下是几种常见的固相法。 1) 碳化硅的制备及应用最新研究进展 ResearchGate
复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的研究进展烧结
2021年8月18日 这在一定程度上限制了该工艺在复杂结构碳化硅陶瓷制备中的应用。 作者所在公司经过多年研究，成功采用冷等静压成型结合无压烧结工艺制备了反射镜、磁钢骨架等复杂结构碳化硅陶瓷制品，通过控制制备工艺参数，将毛坯的尺寸精度控制在02%以内，实 2020年3月24日 碳化硅生产工艺 1/6 分步阅读 常见的方法是将石英砂与焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入食盐和木屑，置入电炉中，加热到2000°C左右高温，经过各种化学工艺流程后得到碳化硅微粉。 2/6 碳化硅因其很大的硬度而成为一种重要的磨料，但其 碳化硅生产工艺百度经验
碳化硅粉末的生产和应用
碳化硅的合成： 选择石油焦、无烟煤、木炭等碳原料和石英砂、硅石等硅原料，通过高温烧结得到碳化硅。 碳化硅的具体生产工艺包括 加工和粉碎： 合成后的碳化硅通常呈块状。 必须使用破碎机将其破碎成不超过 5 毫米的颗粒。然后，使用成型机将其成型为不超过 2 毫米的颗粒，其中椭圆形颗粒 2022年4月24日 本文基于对碳化硅材料烧结行为、显微结构以及力学性能的认识，综述了碳化硅烧结工艺的发展及烧结助剂的选择标准，同时分析和介绍了碳化硅陶瓷材料在传统工业与现代科技领域的应用现状。 关键词： 国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先
碳化硅器件制造工艺流程
2023年11月16日 碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。 碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发，以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
碳化硅生产工艺百度文库
碳化硅生产工艺工业上合成碳化硅多以石英砂、石油焦(无烟煤）为主要原料,在电炉内温度在2000~2500℃下，通过下列反应式合成：SiO2+3C SiC+2CO—46。 8kJ(1120kcal）1原料性能及要求各种原料的性能：石英砂，SiO2〉99％，无烟煤的挥发分〈5％2合成电炉大型碳化硅冶炼炉的炉子功率一般碳化硅工艺过程简述（2）氧碳化硅层该层物料实际上是半反应的料，主要是还未反应的碳和二氧化硅，也有一部分为已经反应成的碳化硅（约占20~50%）。未反应的二氧化硅和碳，其形态已经发生很大变化，因此不同于乏料。碳化硅工艺过程简述 百度文库
碳化硅(SiC) 衬底片的工艺优化和对应抛光耗材 北京国瑞升
2020年8月16日 碳化硅（SiC）衬底优化抛光工艺 的主要优势： 优化后的工艺条件的优势只要集中在第二道粗抛工序上，这一道工艺由粗抛液（GRISH复合粗抛液）匹配对应的粗抛垫具有较快的抛光速率，关键是表面粗糙度较小，便可大大减少精抛工序的压力。精抛 2024年1月12日 干货丨碳化硅离子注入和退火工艺介绍 传统的硅功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。 一般来说，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓为等向性，且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。 离子注入工艺复 干货丨碳化硅离子注入和退火工艺介绍 电子工程专辑 EE
碳化硅衬底工艺流程百度文库
碳化硅衬底工艺流程 一、碳化硅衬底制备工艺流程 1原料准备 碳化硅衬底的主要原料是硅和碳。硅可以通过高纯度的硅片、粉末等形式使用，而碳则可以采用石墨、聚苯乙烯等物质。此外，还需要准备用于制备碳化硅衬底的气体、溶剂等辅助物质。 2原料预处理2021年7月21日 单晶生长工艺 正追赶世界先进水平 今年1月，湖南省首个第三代半导体产业园及国内首条碳化硅研发生产全产业链产线封顶。据介绍，该项目主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设，项目全面建成投产后 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 国家自然科学基金
碳化硅生产工艺百度文库
碳化硅Leabharlann Baidu生产工艺 和投资估算 碳化硅是人工合成的材料，其化学计量成分以克分子计：Si 50%、C 50%以质量计：Si 7004%、C 2996%，相对分子质量为4009。 装料顺序是在炉底先铺上一层未反应料，然后添加新配料到一定高度(约炉芯到炉底 2022年8月24日 碳化硅生产流程主要涉及以下过程： 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成单晶薄片，也即半导体衬底材料； 3）外延片环节，通常使用化学气相沉积（CVD）方法 新能源｜碳化硅产业链研究（产业链篇）器件工艺流程外延
cvd碳化硅工艺流程 百度文库
CVD碳化硅工艺 是一种制备高纯度、高质量碳化硅薄膜的重要工艺。该工艺涵盖了加载硅衬底、预热、反应、冷却和后期处理等步骤。通过严格控制各个步骤的参数和条件，可以获得理想的碳化硅薄膜。该工艺在半导体、光电子等领域有广泛的应用前景 2024年3月11日 碳化硅制备工艺包括哪些？ 碳化硅制备工艺包括哪些？ 衬底制备是最核心环节，难度集中在晶体生长和衬底切割。 1 晶体生长：速度慢可控性差，是衬底制备主要技术难点 SiC衬底是芯片底层材料，主要技术难点在于晶体生长。 衬底是沿晶体 特定结晶方向 碳化硅制备工艺包括哪些？ 问答集锦 未来智库
知乎专栏
2 天之前 在降本需求催动下，需要将一个大的碳化硅（SiC）晶锭切成尽可能多的薄碳化硅（SiC）晶圆衬底，同时随着晶圆尺寸不断增大 (目前8英寸晶圆已有量产，下一步将拓展12英寸晶圆的生长），这些都对切割工艺的要求提出了更高的标准。 目前主流的切割工艺大体 顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割技术
黑碳化硅生产工艺进行冶炼高温
2024年1月12日 黑碳化硅磨料硬度高、化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，可用于抛光研磨材料、耐火材料、冶金选矿等行业，那么黑碳化硅的工艺及用途有哪些呢？冶炼后的成品是碳化硅块。 3、细碎：碳化硅经过粗碎后，就碳化硅主要由SiC组成，是耐腐蚀性优越陶瓷材料，可用在机械密封和泵零部件中。在高达1400 采用京瓷独有的工艺 可实现超高精度。机加工精度受形状和材料影响。下表所示是一些实例 碳化硅精密陶瓷（高级陶瓷）京瓷 KYOCERA
碳化硅SiC衬底生产工艺流程与革新方法 模拟技术 电子
2024年2月29日 碳化硅籽晶是晶体生长的基底，为晶体生长提供基础晶格结构，同样也是决定晶体质量的核心原料。 籽晶位于反应器内部或原料上方。 03 晶体生长 SiC晶体生长是SiC衬底生产的核心工艺，核心难点在于提升良率。 目前SiC晶体的生长方法主要有物理气相 2 天之前 本文以研究第三代半导体碳化硅衬底磨抛加工 技术为目的，综述了机械磨抛技术、化学反应磨抛技 术的进展 根据去除机理的不同，划分并总结现有磨 抛技术的特点：传统机械磨抛拥有较高的材料去除 率，但是其加工质量较差，且损伤严重；而化学腐蚀 反应磨 碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 艾邦半导体网
知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
2023年6月22日 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。 颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 SiC 晶体是无色的，是碳化硅在 2700 摄氏度升华时形成的。 加热后，这些晶体在较低的温度下沉积在石墨上，这一过 什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
市场｜碳化硅模组封装，我们还能聊什么？电子工程专辑
2024年4月17日 市场｜碳化硅模组封装，我们还能聊什么？ 拥抱碳化硅模组设计正向开发大趋势 这两年，碳化硅模组封装工艺的技术路线之争从未停歇。 IGBT时代，英飞凌以标准化的IGBT生产工艺，加标准化模组和器件封装横扫市场。 但随着碳化硅应用节奏加快，功率 2023年11月4日 目前常用碳化硅离子注入后激活退火工艺在1600℃~1700℃温度下的Ar氛围中进行，使SiC表面再结晶并激活掺杂剂，提高掺杂区域的导电特性；退火前可在晶圆表面涂敷一层碳膜进行表面保护，减小Si脱附和表面原子迁移导致的表面退化；退火完成后，碳膜可 碳化硅离子注入工艺 百家号
碳化硅生产工艺中主要产生哪些污染物?如何防治污染?常见
2014年3月26日 碳化硅 生产过程中产生的问题： ①扬尘，土石方施工、建筑材料的运输和堆存会产生扬尘，对周围环境空气产生影响;②施工机械排放的尾气;③噪声，施工车辆、建筑机械运行和施工材料的碰撞产生噪声，影响声环境质量;④建筑垃圾，施工结束后建筑剩余的 知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
碳化硅晶片清洗工艺 百度文库
碳化硅晶片清洗工艺 1 预清洗 将待清洗的碳化硅晶片放入预清洗槽中，使用去离子水进行浸泡清洗。 预清洗的目的是去除表面附着的杂质和油污，以减少后续清洗工艺的负担。 2 酸洗 在酸洗槽中加入稀硝酸或稀盐酸溶液，将碳化硅晶片浸泡一段时间 工艺温度为 18002300°C。 可制备高纯度、高质量的半绝缘型碳化硅晶体，具有工艺 参数可调性、产品多样性等优势。受晶体生长设备、高纯气体成本较高、生长工艺尚未成熟等因素制约，商业化进展缓慢，未实现大规模应用 碳化硅长晶工艺分类
碳化硅晶圆产业链的核心：外延技术 电子工程专辑 EE
2023年8月8日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。该法生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制备。 以下是几种常见的固相法。 1) 机械粉碎法：将粉体颗粒状的碳化硅在外力作用下将他研磨煅烧一系列操作后得到超细粉体，该工艺及设备简单，成本也低，但效率高，缺点就是反应中易 碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
浮思特｜碳化硅SiC生产工艺的全景解析 百家号
2024年4月18日 三、Acheson工艺 Acheson工艺是一种传统的SiC生产方法。在此过程中，将混 合好的硅砂和碳素材料填充在特制的石墨坩埚中，利用电弧炉产生的高温进行反应。炉温在反应区可达2400°C，这时硅砂和碳在石墨电极的电场作用下发生反应，生成碳化硅。SiC: 以碳化硅打造更可持续的未来。 历经多年的研发积累，意法半导体于2004年推出了款碳化硅二极管。 SiC MOSFET问世于2009年，并于2014年开始量产。 如今，意法半导体基于SiC技术的中压和高压电力产品已在业内得到了广泛应用。 意法半导体积极进行产能 碳化硅 意法半导体STMicroelectronics
碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus腾讯新闻
2023年7月14日 因为碳化硅在生产环节存在单晶生产周期长、环境要求高、良率低等问题，碳化硅衬底的生产中的长晶环节需要在高温、真空环境中进行，对温场稳定性要求高，并且其生长速度比硅材料有数量级的差异。因此，碳化硅衬底生产工艺难度大，良率不高。2023年11月10日 详解碳化硅PVT长晶工艺 一般认为利用PVT法生长碳化硅晶体需重点关注以下几点： 1、籽晶极性及晶型种类的选择。 研究证实，决定单一4H晶型稳定生长的关键因素为籽晶极性，通常C面可用于制备4HSiC晶型，而Si面则用于制备6HSiC晶型，且与籽晶晶 详解碳化硅PVT长晶工艺
碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE
2020年3月16日 Cree公司采用双注入MOSFET(double implantation MOSFET,DMOSFET) 的技术路线,结构如图4(a)所示,该公司自2010 年起发布商业化SiC MOSFET。 器件通过改进元胞尺寸以及改善SiC/SiO2( 二氧化硅)界面特性的手段,元胞尺寸从发布的代产品的10 m 降低至第三代产品的6 m,比导通电阻也从 2017年4月9日 重结晶碳化硅材料的制备与应用研究进展 黄 进 吴昊天 万龙刚 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司 河南洛阳 摘 要:从原料纯度及颗粒形状、成型方法、烧结温度及烧结气氛等方面阐述了重结晶碳化硅材料的制备工艺 及其特点，并与其他组成或性能 重结晶碳化硅材料的制备与应用研究进展
碳化硅的制备及应用最新研究进展 ResearchGate
2022年5月20日 生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅 的制 备。以下是几种常见的固相法。 1) 2021年8月18日 这在一定程度上限制了该工艺在复杂结构碳化硅陶瓷制备中的应用。 作者所在公司经过多年研究，成功采用冷等静压成型结合无压烧结工艺制备了反射镜、磁钢骨架等复杂结构碳化硅陶瓷制品，通过控制制备工艺参数，将毛坯的尺寸精度控制在02%以内，实 复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的研究进展烧结