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一种电沉积硅的方法张士宪
一种电沉积硅的方法张士宪
一种电沉积硅的方法[发明专利]百度文库
摘要：一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用 下，由SiO一步电沉积出硅的问题。2007年5月29日 本发明方法以熔盐电沉积出的硅作为渗硅的硅源，电沉积硅和硅在钼基体中扩散同时进行，具有梯度层厚度容易控制，工艺参数范围宽，易操作，材料表面结构致 Patent9专利在线
Na3AlF LiF 熔盐体系中硅的电沉积行为 物理化学学报
2011年4月28日 摘要: 研究了Na3AlF6LiF 体系中硅沉积的电化学行为及影响因素, 并分别采用电解沉积和电解精炼方法获得 了单质硅 结果表明: Si(IV)的电化学还原过程分步进行, 在FLINAKNa2SiF6熔盐体系中,以Pt为参比电极,硅钢片为工作电极,石墨为辅助电极,在750℃下,用循环伏安法和计时电位法对Si4+的电化学反应机理和扩散系数进行了研究结 熔盐电沉积硅的基础研究 百度学术
一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池
国省代号： CN 摘要： 本发明属于太阳能电池技术领域,提供了一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池该制备方法包括:对N型晶体硅片清洗和制绒;在硅片正 介绍了沉积硅的几种方法常规的沉积方法为固体粉末法和气相沉积法固体粉末法要消耗大量的硅铁,且硅层存在气孔;气相沉积法由于涉及气体,其保护措施和密闭性的严格要求使其应 电沉积硅技术的历史和发展趋势
硅与液态镓阴极在熔盐中的电沉积,ECS Meeting Abstracts
2020年2月27日 电沉积是一种以合理的成本生产高纯度硅的候选方法。 我们之前研究过从熔融氯化钙基电解质和熔融氟化物电解质中电沉积硅。 最近的实验是使用液体镓阴极进行 2021年7月19日 近日， 美国得克萨斯大学奥斯汀分校Edward T Yu和Li Ji（通讯作者） 展示了一种低成本且高度可扩展的策略，以制备高性能和稳定性好的Si基MIS光阳极，基于 Nature子刊:基于薄膜反应和电沉积制备的硅基金属绝缘体
在含有电介质材料的硅形成中改进的空隙填充沉积 百度学术
2008年3月14日 US 摘要： 本发明涉及包含电介质材料的硅的形成中改进的空隙填充沉积,其公开了一种用于在形成于衬底上的沟槽中形成电介质材料的化学气相沉积方法,其中,所 2023年12月19日 该技术可以在电池片的正反面进行快速的选择性沉积,提高栅极与衬底的结合力的同时也降低了电阻率,并且利用铜替代银,大大降低了太阳电池的成本。 本文总结了 晶体硅太阳电池的电化学沉积金属化技术研究进展
一种在碳颗粒表面沉积纳米硅的方法、材料和应用
2024年2月9日 专利申请cn6公开了一种多级复合结构的硅基负极材料及其制备方法，该材料为粒径15～38μm颗粒，由表面向内部依次为表层碳、高孔隙填充碳和硅碳微囊。发明专利cn1公开了一种用于二次锂电池的纳米硅碳复合材料及其制备方法和2020年8月27日 为了实现本发明的目的，本发明的技术方案是：一种采用相变方 法实现绝缘体上应变硅的制作方法，特点是，它包括以下步骤： 1在顶层硅厚度为1020纳米 (nm)，埋层氧化物的厚度 3000～4000埃 ( )的超薄SOI 硅片 的顶层硅上用低压化学 气相沉积 (LPCVD)生长一层厚度 一种采用相变方法实现绝缘体上应变硅的制作方法专利检索
一种无定形碳硅碳纳米纤维石墨复合材料及其制备方法和应用
2023年12月19日 7根据权利要求1所述的一种无定形碳‑硅‑碳纳米纤维‑石墨复合材料的制备方法，其特征在于：所述 化学气相沉积无定形碳的条件为：以脂肪烃或芳烃为碳源，压力为负压或正压，温度为500～1100，时间为1～3小时。8一种无定形碳‑硅‑碳纳米 2007年5月29日 一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用下，由SiO 2 一步电沉积出硅的问题。特别之处是：它以NaCl、KCl、NaF构成的三组元为介质，其中NaCl、KCl、NaF三组元的摩尔比为：1∶1∶05～1∶1∶45 ，加入占熔 CNA 一种电沉积硅的方法 Google Patents
一种高纯粒状硅的生产方法pdf原创力文档
2024年3月2日 N C CNA权利要求书1/1页 1一种高纯粒状硅的生产方法，其特征在于，所述方法包括： 在进料气中含硅气体进入流化床反应区，于650℃～1200℃的反应沉积温度下进行沉 积制备高纯粒状硅的过程中，包括： 至少一次调整反应沉积温度，以在流 2021年7月29日 摘要： 本发明公开了一种新型的高纯石英砂合成制备方法,采用高纯超细硅粉,尤其是光伏切片硅泥来制备高纯低成本石英砂光伏切片硅泥经过水洗,酸洗后和碱液反应生成硅溶胶,然后采用离子交换法对硅溶胶进一步提纯,接着对硅溶胶调节PH值,形成凝胶再经过 一种利用超细硅粉制备高纯石英砂的方法 百度学术
一种用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备及镀膜方法[发明专利
2015年4月15日 2根据权利要求 1 所述的用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述工 字钢腿子 (8) 为两条。 3根据权利要求 1 所述的用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，前三级 缓冲室 (4，3，2) 和后三级缓冲室 (5，6，7) 之间均设置有水管 我们已与文献出版商建立了直接购买合作。 你可以通过身份认证进行实名认证，认证成功后本次下载的费用将由您所在的图书馆支付 您可以直接购买此文献，1~5即可下载全文，部分资源由于网络原因可能需要更长时间，请您耐心等待哦~一种一步电沉积制备金属硫化物/金属电催化剂的普适性方法
一种多步反应烧结法制备低残硅的碳化硅陶瓷材料的方法
2016年9月26日 主权项： 1一种多步反应烧结法制备低残硅的碳化硅陶瓷材料的方法，其特征在于，具体包括如下步骤：步，通过检测手段选择至少两种活性不同碳源，两种活性不同碳源指的是两种及以上的碳源或者具有两种不同活性的一个碳源，碳源包括纳米炭黑、石油焦、金刚石、炼焦酚渣、碳微球或石墨 2014年10月5日 电沉积硅技术的历史和发展趋势docx 北京科技大学理化系,北京河北理工学院冶金系,河北唐山)摘要:介绍了沉积硅的几种方法。 常规的沉积方法为固体粉末法和气相沉积法。 固体粉末法要消耗大量的硅,且硅层存在气孔;气相沉积法由于涉及气体, 电沉积硅技术的历史和发展趋势 豆丁网
一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅PN结的方法与流程
2020年8月25日 为实现上述目的，本发明提供了一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅pn结的方法，所述方法包括以下步骤： 步骤1、将原料按比例加入坩埚中，并加入掺杂剂，然后将所述坩埚放入高温电阻炉内，在惰性气氛下加热至400～600℃，保温12～24h除去所述原料中的水分后，在惰性气氛下加热至850℃，保温24 2020年9月11日 1 英文摘要 本发明涉及一种光电倍增管，具体涉及一种基于硅电子倍增器的混合型大面积光电倍增管，旨在解决现有光电倍增管响应时间较慢、制作装配流程复杂，加载电压过高致使高压器件负担增大，以及增大聚焦电极结构尺寸导致装配难度大等问题。 该 中国科学院机构知识库网格系统: 一种基于硅电子倍增器的
一种低共熔型离子液体中阳极溶解电沉积制备镍基双金属析氢
2022年8月12日 摘要： 本发明公开了一种低共熔型离子液体中阳极溶解电沉积制备镍基双金属析氢催化剂的方法,属于催化材料制备技术领域所述制备方法的步骤包括:(1)将镍盐前驱体加入到低共熔型离子液体中,加热搅拌,得到离子液体镍盐复合溶液体系;(2)以导电集流体为阴极,两块金属片为阳极,所述离子液体镍盐 2012年2月8日 CAS IR GRID以发展机构知识能力和知识管理能力为目标，快速实现对本机构知识资产的收集、长期保存、合理传播利用，积极建设对知识内容进行捕获、转化、传播、利用和审计的能力，逐步建设包括知识内容分析、关系分析和能力审计在内的知识服务能力，开展综合知识管理。一种利用电化学共沉积制备镍/钛硅铝碳复合涂层的方法
中国科学院机构知识库网格系统: 一种利用电泳沉积制备钛硅
2012年2月8日 本发明涉及可加工层状钛硅铝碳陶瓷领域,特别提供了一种利用电泳沉积制备钛硅铝碳 (Ti3Si (Al)C2)陶瓷涂层的方法,解决现有技术中难以获得纯的钛硅碳 (Ti3SiC2)涂层等问题。 该方法以钛硅铝碳 (Ti3SiAlC2)粉末、水 (H2O)为原料制成悬浮液,悬浮液中钛硅铝碳 (Ti3SiAlC2)的 2024年1月23日 本发明不限于所公开的任何特定实施例。 技术特征： 1一种选择性沉积氮化硅的方法，该方法包括： 2根据权利要求1所述的方法，其中，所述材料包括氮化硅或硅。 3根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第二材料包括金属氧化物、氧化硅或金属 选择性沉积氮化硅的方法及包括氮化硅层的结构与流程 X技术网
单质硅的制备方法 百度学术
摘要： 本发明公开了一种单质硅的制备方法:将SiO2溶于含有碱金属或碱土金属氧化物的氯化物熔盐中,或将碱金属或碱土金属的硅酸盐溶于氯化物熔盐中,所述氯化物熔盐的温度为6001000oC,以石墨或硅或金属为阴极,以石墨或惰性材料为阳极进行电解,使得在阴极发生硅酸根的电沉积,电沉积产物分离得到 2020年9月15日 本发明属于氮化硅(si3n4)纳米复合表面涂层制备技术领域，特别涉及一种si3n4纳米银复合电沉积涂层及其制备方法与应用。背景技术电镀铬涂层因光洁度好、硬度高、耐磨耐蚀性强等优势，国内许多重要工业领域仍大量应用。但电镀铬工艺引发的环境污染、危害健康等问题，已成为制约我国建设环境 一种氮化硅纳米银复合电沉积涂层及其制备方法与应用与流程
一种利用电沉积氢氧化钴纳米片制备成膜的方法 百度学术
2018年12月14日 本发明属于分离膜的技术领域,公开了一种利用电沉积氢氧化钴纳米片制备成膜的方法方法:1)将导电基材进行预处理;2)通过电沉积方法在导电基材表面沉积氢氧化钴纳米片阵列;3)将表面沉积氢氧化钴纳米片阵列的导电基材置于溶液中,超声剥离,得到纳米片分散 2018年8月9日 1一种电沉积生产金属银的方法，其特征在于，利用带有阴离子交换膜的电解槽对含Ce(NO)的阳极区电解液和含AgNO的阴极区电解液进行电解，其中，阴极区的电解液和阳4+极区的电解液之间互不流通，电解完成后，在阴极得到金属银，阳极区得到含Ce 的一种电沉积生产金属银的方法专利查询 企查查
一种三维硅基电容器的制作方法 百度学术
一种三维硅基电容器的制作方法 本发明公开了一种利用半导体PN结结电容和硅通孔技术制作高密度三维硅基堆叠电容器的方法,包括:利用成熟的深度反应离子刻蚀,淀积,键合等微电子加工工艺,通过对单层硅基电容芯片刻蚀,形成大的深宽比通孔,并淀积铜,制作金凸 2021年1月26日 一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔pecvd沉积工艺 技术领域 [0001] 本发明涉及硅太阳电池，更具体地涉及一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔pecvd沉积工艺。 背景技术： [0002] 晶体硅/非晶硅异质结(shj)太阳电池是性能最好的单结硅电池，光电转换效率 一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔PECVD沉积工艺的
一种电沉积硅薄膜的方法与流程
2022年4月13日 1本发明涉及新能源材料技术领域，特别是涉及一种电沉积硅薄膜的方法。背景技术： 2随着工业化进程的加快、化石矿物燃料的燃烧导致了不可再生能源短缺、温室效应、环境污染等日益严重。 太阳能由于具有绿色、安全、可持续、数量巨大等优点，越来越受到人们的关注，将来太阳能会替代部分 2014年3月13日 摘要： 本发明提供一种激光诱导热生长氧化硅的方法,所述方法包括:采用激光照射无定形硅制备氧化硅的步骤。 所述方法适用于晶圆背后感光技术制程。 所述晶圆背后感光技术制程包括:提供器件晶圆和支撑晶圆；在所述器件晶圆表面上依次形成等离子沉积 一种激光诱导热生长氧化硅的方法 百度学术
一种电沉积制备FeCoNiCuSn高熵合金的方法CNA
2021年12月31日 1一种电沉积制备FeCoNiCuSn高熵合金的方法，其特征在于，包括如下步骤： (1)电镀液的配制：首先按照摩尔比配制低共熔溶剂，然后恒温搅拌至透明，接着按照摩尔比分别称量可溶性铁源、可溶性钴源、可溶性镍源、可溶性铜源和可溶性锡源加入到上述低共熔溶剂中恒温搅拌得到低共熔溶剂，以此 2012年12月10日 CN 摘要： 本发明涉及一种从工业硅中去除杂质的方法本发明的从工业硅中去除杂质的方法,包括以下步骤:1)将硅块经粉碎研磨后,筛分得到100~200目的硅粉;2)将硅粉水洗净化,加入到盐酸和氢氟酸的混合溶液浸出;3)将处理后的硅粉加入到王水溶液中 一种从工业硅中去除杂质的方法 百度学术
一种硼掺杂纳米硅的制备方法 X技术网
2021年11月3日 5针对上述问题，本发明的目的是提供一种硼掺杂纳米硅的制备方法，解决了硼掺杂的纳米硅生产条件苛刻、难度大、成本高的问题。 6为了实现上述目的，本发明提供的一种硼掺杂纳米硅的制备方法，包括以下步骤： 7 (1)取氧化硅、镁粉和氧化硼混合，在 2013年1月22日 本发明提供一种用于多晶硅生产提高还原沉积反应效率的方法,二氯二氢硅和三氯氢硅液体采用独立的汽化器和过热器,分别进行汽化和过热;过热后的三氯氢硅气体,二氯二氢硅气体及高纯氢气通过各自的流量控制单元分阶段以合适的流量进入静态混合器中混合 一种用于多晶硅生产提高还原沉积反应效率的方法 百度学术
一种在柔性塑料基底表面电沉积多孔结构毛细芯的制备方法
一种在柔性塑料基底表面电沉积多孔结构毛细芯的制备方法 喜欢 0 阅读量： 17 申请(专利)号： 8 申请(专利权)人： 中山大学 发明人： 罗佳利，张梦涵，吕树申，莫冬传 展开 收藏 2007年4月18日 本发明公开了一种采用电沉积法制备氢氧化镍材料的方法,是采用电沉积一步成型直接把活性物质,导电剂,粘结剂沉积在基体上其制备方法,步:配制电沉积溶液;第二步:除去基体表面的氧化层;第三步:将经第二步处理后的基体浸入步已配制好的电沉积水溶液 一种采用电沉积法制备氢氧化镍材料的方法 百度学术
一种电泳沉积快速制备二维MXene膜的方法 百度学术
CN 摘要： 本发明属于分离膜的技术领域,公开了一种电泳沉积快速制备二维MXene膜的方法方法: (1)将MAX粉末加入盐酸和氟化锂的混合溶液中刻蚀,离心洗涤,干燥,超声分散于溶剂中,离心,取上层溶液,获得MXene纳米片溶液; (2)将MXene纳米片溶液进行电泳沉 2022年10月28日 1本发明涉及电沉积技术领域，具体而言，涉及一种电沉积银的方法。背景技术： 2金属银因具有优良的耐腐蚀性、润滑性、装饰性、耐菌性，以及高导电性、高催化性、对环境的高敏感性等，在微电子 一种电沉积银的方法 X技术网
一种熔盐电沉积钒的方法 百度学术
何小凤，李运刚，张士宪 ，李智慧 展开 摘要： 本发明公开了一种熔盐电沉积钒的方法,本发明方法以NaCl,KC1,NaF构成的三组元为介质,阳极材质为高纯石墨,阴极为碳钢片,在温度670～830℃保温7h将V2O5在熔盐中充分溶解,脉冲给电且平均电流密度为110 摘要： 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池金属电极的制备方法,该方法在p型晶体硅衬底上扩散制备PN结后,在n型发射极表面制备氮化硅减反射层,然后通过真空溅射,蒸镀技术或者丝网印刷技术在p型导电背表面上制备厚度为100nm～1000nm的Al薄层,并在氮化硅减反射层 一种晶体硅太阳能电池金属电极的制备方法 百度学术
一种生长非晶态硅的方法及所得的非晶态硅薄膜专利检索仅
2001年6月12日 1一种在具有壁板的室内使非晶态硅生长的方法，该方法包括： (a)确定该室壁板是否清洁；(b)如果不清洁，则清洗该室壁板；和 (c)如果清洁，在该室内形成具有等离子体容积的等离子体；其 中形成等离子体包括将反应气体以某一流率引入该室的步骤；其中使 反应气体的等离子体容积与该流率之比值 2020年8月25日 为实现上述目的，本发明提供了一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅pn结的方法，所述方法包括以下步骤： 步骤1、将原料按比例加入坩埚中，并加入掺杂剂，然后将所述坩埚放入高温电阻炉内，在惰性气氛下加热至400～600℃，保温12～24h除去所述原料中的水分后，在惰性气氛下加热至850℃，保温24 一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅PN结的方法与流程
Nature子刊:基于薄膜反应和电沉积制备的硅基金属绝缘体
2021年7月19日 综上所述，本文已经演示了一种采用Al薄膜反应过程，结合Ni催化剂电沉积法制备低成本、无光刻、可伸缩的Si基MIS光阳极的一般方法。 优化Al薄膜反应工艺，以在二氧化硅层中创造合适的密度，并优化Ni电沉积工艺，以实现最佳的Ni表面覆盖，使得具有良好的起始电位和高光电流密度。2011年4月28日 摘要: 研究了Na3AlF6LiF 体系中硅沉积的电化学行为及影响因素,并分别采用电解沉积和电解精炼方法获得了单质硅 结果表明: Si(IV) 的电化学还原过程分步进行, 在有单质硅存在的情况下, 还发生反应Si(IV)+Si= 2Si(II); 一般情况下Al 的析出电位比Si 要负, 但在 Na3AlF LiF 熔盐体系中硅的电沉积行为 物理化学学报
一种沉积薄膜的方法及其应用、形成半导体有源区的方法与流程
2020年8月21日 本发明涉及半导体制备领域，特别涉及一种沉积薄膜的方法及其应用、形成半导体有源区的方法。背景技术随着电子设备的微型化，动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，dram)作为重要的元件，在其有源化制作过程中，若在刻蚀沟槽后直接进行有源侧壁氧化，会产生有源区减薄，进而导致后续 2022年1月20日 一种电沉积银的方法 本发明涉及电沉积技术领域,具体而言,涉及一种电沉积银的方法所述电沉积银的方法包括:将基体置于电解液中,采用恒电位法进行电沉积,得到银镀层;其中,所述电解液包括低共熔离子液体,添加剂和银源;所述添加剂包括氯盐,含氮杂环化合物和 一种电沉积银的方法 百度学术
一种在碳颗粒表面沉积纳米硅的方法、材料和应用
2024年2月9日 专利申请cn6公开了一种多级复合结构的硅基负极材料及其制备方法，该材料为粒径15～38μm颗粒，由表面向内部依次为表层碳、高孔隙填充碳和硅碳微囊。发明专利cn1公开了一种用于二次锂电池的纳米硅碳复合材料及其制备方法和2020年8月27日 1、一种采用相变方法实现绝缘体上应变硅的制作方法，其特 征在于，它包括以下步骤： 1)在顶层硅厚度为1020纳米，埋层氧化物的厚度3000～ 4000 的超薄SOI硅片的顶层硅上用低压化学气相沉积 生长一层厚度为90110纳米的致密光滑的非晶硅 (αSi)；2)再将另一硅片热氧化生长一层190210纳米的氧化硅；3 一种采用相变方法实现绝缘体上应变硅的制作方法专利检索
一种无定形碳硅碳纳米纤维石墨复合材料及其制备方法和应用
2023年12月19日 7根据权利要求1所述的一种无定形碳‑硅‑碳纳米纤维‑石墨复合材料的制备方法，其特征在于：所述 化学气相沉积无定形碳的条件为：以脂肪烃或芳烃为碳源，压力为负压或正压，温度为500～1100，时间为1～3小时。8一种无定形碳‑硅‑碳纳米 2007年5月29日 一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用下，由SiO 2 一步电沉积出硅的问题。特别之处是：它以NaCl、KCl、NaF构成的三组元为介质，其中NaCl、KCl、NaF三组元的摩尔比为：1∶1∶05～1∶1∶45 ，加入占熔 CNA 一种电沉积硅的方法 Google Patents
一种高纯粒状硅的生产方法pdf原创力文档
2024年3月2日 N C CNA权利要求书1/1页 1一种高纯粒状硅的生产方法，其特征在于，所述方法包括： 在进料气中含硅气体进入流化床反应区，于650℃～1200℃的反应沉积温度下进行沉 积制备高纯粒状硅的过程中，包括： 至少一次调整反应沉积温度，以在流 2021年7月29日 摘要： 本发明公开了一种新型的高纯石英砂合成制备方法,采用高纯超细硅粉,尤其是光伏切片硅泥来制备高纯低成本石英砂光伏切片硅泥经过水洗,酸洗后和碱液反应生成硅溶胶,然后采用离子交换法对硅溶胶进一步提纯,接着对硅溶胶调节PH值,形成凝胶再经过 一种利用超细硅粉制备高纯石英砂的方法 百度学术
一种用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备及镀膜方法[发明专利
2015年4月15日 2根据权利要求 1 所述的用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述工 字钢腿子 (8) 为两条。 3根据权利要求 1 所述的用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，前三级 缓冲室 (4，3，2) 和后三级缓冲室 (5，6，7) 之间均设置有水管 我们已与文献出版商建立了直接购买合作。 你可以通过身份认证进行实名认证，认证成功后本次下载的费用将由您所在的图书馆支付 您可以直接购买此文献，1~5即可下载全文，部分资源由于网络原因可能需要更长时间，请您耐心等待哦~一种一步电沉积制备金属硫化物/金属电催化剂的普适性方法
一种多步反应烧结法制备低残硅的碳化硅陶瓷材料的方法
2016年9月26日 主权项： 1一种多步反应烧结法制备低残硅的碳化硅陶瓷材料的方法，其特征在于，具体包括如下步骤：步，通过检测手段选择至少两种活性不同碳源，两种活性不同碳源指的是两种及以上的碳源或者具有两种不同活性的一个碳源，碳源包括纳米炭黑、石油焦、金刚石、炼焦酚渣、碳微球或石墨 2014年10月5日 北京科技大学理化系,北京河北理工学院冶金系,河北唐山)摘要:介绍了沉积硅的几种方法。常规的沉积方法为固体粉末法和气相沉积法。固体粉末法要消耗大量的硅,且硅层存在气孔;气相沉积法由于涉及气体,其保护措施和密闭性的严格要求使其应用受到了严格的限。电沉积硅技术的历史和发展趋势 豆丁网