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制造碳化硅设备
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制造碳化硅设备
碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速
2023年4月26日 1）碳化硅切割设备方面：国内首款高线速碳化硅金刚线切片机 GCSCDW6500可获得和砂浆切割相同的晶片质量，同时大幅提升切割效率， 显著降低 据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，除了碳化硅外延、离子注入、高温氧 碳化硅“狂飙”：追赶、内卷
碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus腾讯新闻
2023年7月14日 据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，除了碳化硅外延、离子注入、高温氧化/激活等碳化硅专用装备外，华卓精科等国内企业在激光退火、激光划片、PVD 2024年3月12日 苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。 公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019 碳化硅设备研发、生产、销售企业苏州优晶半导体科
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2024年4月30日 在风力发电机、光伏逆变器、储能变流器中应用碳化硅器件，可以显著提升系统的能量转换效率和可靠性，并延长设备循环寿命和降低设备体积和重量，实现更低 2024年3月28日 针对中国市场需求与客户痛点，PVA TePla打造的碳化硅晶体生长设备“SiCN”以自身的四大优势来助力中国半导体产业高质量发展： 1．定制化系统 首款国产碳化硅生产设备， PVA TePla助力中国半导体发展
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国
2022年3月22日 SiC 碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅 元素组成的一种化合物半导体材料。 相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁 带宽度是硅的 3 倍；导热率为硅的 45 2022年12月1日 在新能源汽车、光伏发电、轨道交通和智能电网等领域，碳化硅器件显示出明显的优势。通过本文介绍的制造工艺，读者能够更好地了解碳化硅器件的特点和制备 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
中电科第四十八研究所巩小亮：碳化硅芯片制造装备技术发展
2023年5月5日 碳化硅既是芯片领域锻造长板的重大机会，也是快速响应新能源低碳经济、电力电子革命的重要抓手，是国家芯片和新能源战略交汇点。 作为功率芯片定位，碳化 4 天之前 2021 年 9 月 8 日，加利福尼亚州圣克拉拉——应用材料公司今日宣布推出多项全新产品以帮助世界领先的碳化硅 (以下简称SiC) 芯片制造商从150毫米晶圆量产转向200毫米晶圆量产，使每个晶圆的芯片数产出近乎 应用材料公司全新技术助力领先的碳化硅芯片制造商
碳化硅设备研发、生产、销售企业苏州优晶半导体科
2024年3月12日 苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019年 2024年1月24日 碳化硅器件制造则与设备国产化进程息息相关，设备需求主要包括高温离子注入机、高温退火炉、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延片表面缺陷检测和计量。 近几年是国产设备厂商的黄金发展3年，我国上述设备 疯狂的碳化硅，国内狂追！全球半导体观察
首款国产碳化硅生产设备， PVA TePla助力中国半导体发展
2024年3月28日 作为全球高端半导体设备制造商，来自德国的PVA TePla同样亮相本次展会，并对外展示旗下最新产品——首款国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。 专为 2022年3月22日 晶体生长：为碳化硅衬底制造 最核心工艺环节 1) 目前市场主流工艺为 PVT 气相传输法（固气固反应）。在 2300°C 密闭、真 空的生长腔室内加热 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO 2024年4月17日 碳化硅衬底制造用CMP设备 市场情况 目前，国外主流厂商已实现8英寸衬底的规模化量产，国内厂商以6英寸衬底量产为主。随着生产工艺的不断改善，国内主流厂商加快8英寸的产品研发，逐步成功研制和量产了8英寸碳化硅衬底，推动我国衬底材料 集微咨询发布 《中国CMP设备行业研究报告》制造硅片应用
行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023
2023年2月26日 《工业母机、碳化硅设备国产化再迎 利好—行业周报》2023212 《制造业基础核心部件、底层软件高 端自主化战略意义提升—行业点评报 告》202327 证 关注碳化硅设备国产化突破和加速 ——行业周报 孟鹏飞（分析师） 熊亚威（分析师） 2022年12月15日 在研磨工艺后的清洗环节，国内半导体清洗设备龙头盛美上海7月份推出了新型化学机械研磨后（PostCMP）清洗设备，该设备用于制造高质量衬底化学机械研磨（CMP）工艺之后的清洗，6英寸和8英寸的配置适用于碳化硅（SiC）衬底制造，8英寸 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 国家自然科学基金
2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。 今年发布的“‘十四五’规划和 2024年5月17日 中商产业研究院发布的《20242030年中国碳化硅外延片行业市场发展现状及潜力分析研究报告》显示，2023年中国碳化硅外延设备市场规模约1307亿元。 中商产业研究院分析师预测，到2024年市场规模将增至2087亿元，2026年增至2686亿元。 按累计订单量来看，截至 2024年中国碳化硅产业链图谱研究分析（附产业链全景图
集微咨询发布《中国CMP设备行业研究报告》
2024年4月17日 根据调研情况，目前碳化硅衬底制造厂主流CMP设备的产能与设备增量关系为：每万片月产能对应4台设备。因此，集微咨询（JW Insights）预测，2024和2025年中国大陆碳化硅衬底制造用CMP设备增量约为100 台。根据目前主流CMP设备厂商的大概报 碳化硅的制造工艺与设备 碳化硅的制造过程中使用的设备取决于具体的步骤。对于碳化硅粉末的合成，通常使用电炉。对于成型和烧结，常用的设备包括压力机、挤出机和窑炉等。总的来说，碳化硅的制造过程需要化学反应、成型和烧结的结合。这是 碳化硅的制造工艺与设备百度文库
Ferrotec全球 气相沉积碳化硅产品（CVDSiC) Ferrotec全球
碳化硅部件（CVDSiC） 以自行研发的CVD法生产，实现了超高纯度，高耐热性，高耐磨性的碳化硅产品 碳化硅产品是硅（Si）和碳（C）1比1结合而成的一种化合物，具有较高的抗磨损性、耐热性和耐腐蚀性。 它们被广泛地应用于半导体材料的制造过程中需要的 为 化工、医药 提供更安全、绿色、环保 的解决方案 超晟科技致力于用先进技术提供化工医药行业的安全、环保系统化解决方案； 公司在SIC碳化硅材料的配方开发、材料制备、成型加工等方面有深厚的专业积累。 了解详情浙江超晟科技有限公司 – 全SIC碳化硅管式连续流反应器
机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速
2023年2月27日 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。 根据我们梳理，目前长晶设备已基本实现国产化，其 2023年11月30日 虽然碳化硅产能扩建一片红红火火，但想要大规模起量乃至获得高额收益，至少要等到2025年以后了，如今都不过是在烧钱布局罢了，最先从中受益的反而是设备厂商，由于碳化硅的扩建扩产，相关设备市场皆呈现供不应求的状态，Insemi预计2025年碳化 2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇 艾邦
江苏集芯碳化硅项目首批设备进场半导体制造材料
2023年11月17日 江苏集芯碳化硅项目首批设备进场 专攻第三代半导体材料 一期产能15万片/年 经过半年的紧张建设，11月16日，江苏集芯先进材料有限公司一期年产15万片碳化硅衬底片制造基地搬入首批生产设备。 集芯先进公司紧扣时间节点，大力推进科技成果转 2024年5月31日 对于碳化硅晶圆制造设备与硅基晶圆制造设备的区别，赵奇表示：“其实，两者90%的设备是一样的。由于碳化硅比较坚硬，所以在器件制造过程中，我们必须把它的温度加到比硅基更高。比如，在硅基器件制造过程里，通常来说最高温度是到1200度， 对话芯联集成总经理赵奇：8英寸碳化硅“器件制造”难在哪里？
化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 电子工程专辑 EE
2023年2月15日 本文从碳化硅外延生长机理出发,结合反应 室设计和材料科学的发展,介绍了化学气相沉积(CVD)法碳化硅外延设备反应室、加热系统和旋转系统等的技术进 展,最后分析了 CVD 法碳化硅外延设备未来的研究重点和发展方向。 碳化硅(silicon carbide, SiC)作为第 2023年5月13日 由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设备，芯片制程中的高温高能离子注 造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？中国纳米行业
英罗唯森：开启碳化硅设备先河无锡新浪财经新浪网
2021年1月15日 英罗唯森：开启碳化硅设备先河 无锡英罗唯森科技有限公司是国内领先的碳化硅设备制造商，为化工、医药农药、新能源领域等有耐腐蚀设备需求 2023年7月14日 碳化硅晶圆制造设备：除了SiC衬底外，晶圆制造难是国产SiC MOSFET尚未应用于主驱的关键所在，未来国产SiC 芯片扩产也会受到关键设备的牵制。由于SiC材料硬度高、熔点高等特性，需要一些特殊的生产设备与工艺——包括高温退火炉、高温离子 碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus腾讯新闻
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月2日 晶体生长：为碳化硅衬底制造 最核心工艺环节 1) 目前市场主流工艺为 PVT 气相传输法（固气固反应）。在 2300°C 密闭、真 空的生长腔室内加热碳化硅粉料，使其升华成反应气体。再输运至籽晶处、在 籽晶表面原子沉积，生长为碳化硅单晶 2024年1月30日 国产设备的占比在不断提升，2023年国产设备出货量占比已全面超越海外。 对比碳化硅全产业链所需设备的国产替代现状，碳化硅外延设备的国产化率“遥遥领先”。 国内以垂直腔设备进行差异化竞争的公司芯三代在2023年出货和市占也有进一步的提升，据芯 国产替代不可当，芯三代“卷”出圈？设备外延公司
知乎专栏
2023年6月29日 CSE外延片清洗机设备 设备名称华林科纳（江苏）CSE外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等华林科纳半导体设备有限公司湿制程设备硅片清洗机专业制造
济宁华航喷雾设备制造有限公司，济宁微细雾化喷嘴厂家
济宁华航喷雾设备制造有限公司，是集研发、生产、销售为一体的技术型公司，主要经营微细雾化喷嘴、碳化硅喷嘴、水雾喷嘴、空心锥形喷嘴、济宁扇形喷嘴等产品系列,联系，欢迎大家咨询合作。2024年1月8日 国产碳化硅“芯航母”崛起》， 深入位于广州南沙的 芯片制造企业——芯粤能， 揭秘其作为全球领先 车规级碳化硅功率半导体 制造企业的发展秘密。 关键词：芯粤能 芯粤能碳化硅芯片制造项目是广东“强芯工程”重大项目，项目总投资额为75亿元，将 在南沙，国产碳化硅“芯航母”正崛起车间芯片制造
知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
2024年3月11日 Address/浙江省绍兴市柯桥区柯桥科技园起航楼1号楼 Tel/联系 Mail/ shaoxingjingcai@163 绍兴晶彩科技有限公司是一家专注于高纯碳化硅粉体、半导体材料制造的企业。 拥有先进的生产设备和技术，致力于提供高品质的产品和优质的服务。绍兴晶彩科技有限公司高纯碳化硅粉体、半导体材料制造商
日本DISCO研发新型晶圆切割机，碳化硅切割速度提高10倍
2024年1月12日 日本晶圆设备制造商DISCO于2023年12月推出全新的SiC(碳化硅)切割设备，可将碳化硅晶圆的切割速度提高10倍，首批产品已交付客户。 由于碳化硅的硬度仅次于金刚石和碳化硼，硬度是硅的18倍，因此 登录｜注册 首页 热门 专栏作家 电子产业热词 2021年5月6日 项目名称：芯三代半导体科技（苏州）有限公司年产碳化硅外延设备50台项目 建设性质：新建 项目概况：本项目租赁腾飞苏置业（苏州）有限公司位于苏州市工业园区苏慕路104号S栋厂房，建筑面积2072平方米。项目建成后，形成年产碳化硅外延设备50台的 芯三代半导体科技（苏州）有限公司年产碳化硅外延设备50
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2024年4月30日 天科合达团队拥抱创新技术，推动世界进步 欢迎斗志昂扬、才华横溢、渴望创新的人才加入天科合达 北京天科合达半导体股份有限公司成立于2006年9月，总部位于北京市大兴区，是国内率先从事第三代半导体碳化硅单晶衬底及相关产品研发、生 2024年1月20日 1碳化硅制造涉及生命周期、制造商、生产工艺和设备类型等关键因素。 生命周期和制造商的选择会影响设备的生产能力和维护周期。 设备类型包括氧化扩散炉和外延炉等，需针对不同设备进行不同的维护周期和更换周期。 国内大厂在生产碳化设备，使用 碳化硅制造市场现状及设备国产化分析（6500字）
丰港化学 晶体生长设备业务
在半导体形成中，也是是制造设备 生产的过程。丰港化学具有长年累积的经验，主要在液相法、气相法碳化硅晶体炉领域；尤其是在碳化硅晶体生长领域，目前已经有国内大厂应用业绩。特别是可以提供液相法、气相法长晶工艺包，非常有竞争力 2023年10月24日 而国内市场来看，碳化硅设备、衬底及外延环节亦迎来突破性进展，并且多家行业龙头选择与国际功率半导体巨头联手。 除三安光电外， 天科合达 去年年底发布8英寸导电型碳化硅衬底产品，并宣布将于今年内实现8英寸导电型碳化硅衬底小规模量产。国产8英寸碳化硅量产加速！行业龙头频频联手国际功率半导
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2024年3月6日 碳化硅（Silicon carbide，SiC）是一种重要的结构陶瓷材料，具有密度低、强度高、耐高温、抗腐蚀、导热系数高、热膨胀系数小等优点，在机械制造、航空航天、石油化工、半导体工业等领域获得了广泛应用。但碳化硅是一种共价键化合物，硬度高、脆性大，难以机械加工。大尺寸、高精度、高质量：突破碳化硅陶瓷3D打印的制造极限
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2024年3月12日 苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019年 2024年1月24日 碳化硅器件制造则与设备国产化进程息息相关，设备需求主要包括高温离子注入机、高温退火炉、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延片表面缺陷检测和计量。 近几年是国产设备厂商的黄金发展3年，我国上述设备 疯狂的碳化硅，国内狂追！全球半导体观察
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2024年3月28日 作为全球高端半导体设备制造商，来自德国的PVA TePla同样亮相本次展会，并对外展示旗下最新产品——首款国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。 专为 2022年3月22日 晶体生长：为碳化硅衬底制造 最核心工艺环节 1) 目前市场主流工艺为 PVT 气相传输法（固气固反应）。在 2300°C 密闭、真 空的生长腔室内加热 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
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2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO 2024年4月17日 碳化硅衬底制造用CMP设备 市场情况 目前，国外主流厂商已实现8英寸衬底的规模化量产，国内厂商以6英寸衬底量产为主。随着生产工艺的不断改善，国内主流厂商加快8英寸的产品研发，逐步成功研制和量产了8英寸碳化硅衬底，推动我国衬底材料 集微咨询发布 《中国CMP设备行业研究报告》制造硅片应用
行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023
2023年2月26日 《工业母机、碳化硅设备国产化再迎 利好—行业周报》2023212 《制造业基础核心部件、底层软件高 端自主化战略意义提升—行业点评报 告》202327 证 关注碳化硅设备国产化突破和加速 ——行业周报 孟鹏飞（分析师） 熊亚威（分析师） 2022年12月15日 集微网了解到，相对于硅产业而言，碳化硅作为一个新材料，其发展时间较短，国内在碳化硅领域与国际领先水平的差距并没有那么大。同时，碳化硅器件为功率半导体产品，属于成熟制程范畴，芯片制造一般只需要350nm的工艺制程，国内半导体企业都能从中看到超越国际巨头的新机遇。产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 国家自然科学基金
2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。 今年发布的“‘十四五’规划和